该篇为基本IO配置，其思路适用于任意款MCU
一、STM32四种管脚模式对比
- 普通推挽输出（ GPIO_Mode_Out_PP ） :
使用场合：一般用在0V 和 3.3V 的场合。线路经过两个P_MOS和 N_MOS管，负责上拉和下拉电流。使用方法：直接使用输出电平：推挽输出的低电平是 0V，高电平是 3.3V。 - 普通开漏输出（ GPIO_Mode_Out_OD ）：
使用场合：一般用在电平不匹配的场合，如需要输出 5V 的高电平。使用方法：就需要再外部接一个上拉电阻，电源为5V，把 GPIO设置为开漏模式，当输出高组态时，由上拉电阻和电源向外输出5V 的电压。输出电平：在开漏输出模式时，如果输出为0，低电平，则使 N_MOS导通，使输出接地。若控制输出为 1（无法直接输出高电平）， 则既不输出高电平也不输出低电平， 为高组态。为正常使用，必须在外部接一个上拉电阻。特性： 它具“线与”特性，即很多个开漏模式引脚连接到一起时，只有当所有引脚都输出高阻态， 才由上拉电阻提供高电平 ， 此高电平的 电压 为外部 上拉电阻所接的 电源 的电压。若其中一个引脚为低电平，那线路就相当于短路 接地 ，使得整条线路都为低电平，0 V。 - 复用推挽输出（ GPIO_Mode_AF_PP ） : 用作串口的输出。
- 复用开漏输出（ GPIO_Mode_AF_OD ）：用在 IIC 。
Ps：所有的开漏输出都需要接上拉电阻
二、IO(按键)输入消抖
IO(按键)输入的消抖，往往是嵌入式开发的排名前几门基础课。消抖方法分为2种：1)硬件消抖； 2)软件消抖；这里就不讲解硬件消抖方式，主要讲软件消抖；
软件消抖也分为2种:
- 死循环延迟消抖
- 定时器轮询消抖；
这里讲解采用定时器轮询消抖方式。
- 定时器轮询消抖有什么好处？
- 那 定时器轮询消抖 需要什么？
- 实现思路、功能分层？
Ps：轮询的好处：IO(按键)输入的响应速度，直接与(裸机)系统效率挂钩；一旦其他地方出现问题，程序bug存在可以影响到IO(按键)输入的响应速度；采用轮询机制，在MCU从裸机移植到系统上，也会是十分便利
- 定时器轮询消抖的好处：很明显，相对死循环延迟，定时器轮询 不会空白占用浪费CPU的资源
- 定时器消抖需要一个定时器；往往在MCU系统中，一般有公用基准1ms的定时器，用于各类操作，直接采用该定时器即可
- 实现思路、功能分层？以下均为实现功能的函数
1)(基本的)IO口初始化配置
2)无消抖 单输入(按键)扫描
3)消抖处理：循环调用 无消抖单输入扫描；每次程序重新轮询一次，检查现电平状态相比之前是否翻转；翻转则重新备份时间(采取定时器当前时间)，利用备份时间和当前时间 计算出来的时间差，实现延时消抖；
三、IO口自定义功能
IO口自定义是一个在基础功能外扩展的功能；当我们有一定量的IO(按键)输入和输出时，哪个输入(按键)往往都制定好什么功能，输出IO也根据程序条件判断做对应操作；举个例子，当我们想把A键的功能和B键的功能互挪，我们就需要重新更改固件程序；IO口自定义，可以实现无需更改固件程序，直接在线更改输入输出管教功能。
实现思路如下：
将各种功能以枚举的方式罗列出来；利用数组的方式，将 IO口[功能] 和 功能[IO口] 两个数组，相互映射；先由 IO口 映射到 功能 去 ，程序只根据条件变动 功能 ，然后再 功能 映射回 IO口 ，实现底层的电平操作
以下为实现IO口自定义功能的细节：
1)额外设计掉电储存功能；因为当你设置好每个按键功能后，如果掉电不保存，则每次重新上电需要重新设置功能；
2)程序上电初始化，先进行IO口初始化；然后再进行IO口自定义初始化：从掉电存储读取IO功能，更新到对应的IO口；每次更新功能，存储一次对应掉电数据，读取数据只在重新上电初始化执行一次；
3)自定义功能复位；每个可自定义功能的IO口，原本就该有自带的默认功能，然后根据需求再改动，对应的，也要有复位默认功能的操作；
数据掉电保存方法
1)外扩额外的ROM(例：24C02)
2)基于备份寄存器
特点：备份寄存器是依赖者备份电源的，当外界的VDD掉电，只要系统的VBAT能正常存在，那么Bakeup Domaain Registers的内容可以被正常保存起来。
3)基于内部闪存
原理：FLASH 存储器又称为闪存，它也是可重复擦写的储器。它分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH，NOR FLASH一般应用在代码存储的场合，如嵌入式控制器内部的程序存储空间；而 NAND FLASH 一般应用在大数据量存储的场合，如U 盘以及固态硬盘等，一般都是 NAND FLASH 类型的。
在stm32芯片中，Flash的读写单位都是以“页”为单位的，以STM32F103C8T6为例，它的每页大小为2K bytes;
读写保护解除：使用这种方法前提是，当前Flash页的读和写是允许的。
特点：使用该方法，相对比较复杂。但是由于保存数据以页为单位，页的大小可以多达2048bytes，所以该方法可以实用于保存掉电不易失的大数据。考虑到flash读写保护的逻辑机制，该方法最好在不考虑数据的安全性问题前提下，才使用这种方法。